UT maakt geheugenelement met meer dan 0 en 1

Gesegmenteerde geheugenelementen

Boven het geheugenelement zonder zinkoixdelaagje en onder met (afb: UT)

Twente bij het MESA+-instituut voor nanotechnologie hebben ze een ‘gsegmenteerd’ ferroelektrisch geheugenelement ontwikkeld dat meer toestanden kan opslaan dan een 0 of een 1. Dat geheugenelement vertoont enige gelijkenis met de manier waarop hersencellen en hun verbindingen gegevens opslaan.
Lees verder