Kleinste geheugeneenheid tot nu toe gemaakt

atoomklein geheugenelement

Memristor als atoomklein geheugenelement (afb: univ. van Texas)

Alles in de elektronica moet kleiner en sneller worden en als het even kan ook zuiniger in energieverbruik. Het vervelende is natuurlijk dat dat een eeuwigdurende strijd is: hoe sneller hoe meer gegevens en gebruik hoe groter de behoefte aan nog kleiner en nog sneller. Af e toe denk ik nog wel eens aan de tijden van het megachip-project in de jaren 80 toen Philips en Siemens zich inspanden voor een krachttoer die nu lachwekkend lijkt. Over tien jaar zal dat petieterige dinkske van de universiteit van Texas ook vast weer goed zijn voor een weemoedige glimlach. Voorlopig schijnt het de kleinste geheugeneenheid ter wereld te zijn: een memristor op atoomschaal. Lees verder

Oled met isolator geeft nieuw type geheugen

Oled & isolator geeft geheugenelement

De opbouw van het nieuwe pinMOS-geheugenelemnt (afb: TU Dresden)

Aan de basis van de nieuwe opslagtechnologie van onderzoekers van de TU Dresden liggen een organische lichtdiode (oled) en een isolator, gebaseerd op een oud idee. Dat geheugenelement kan niet alleen ‘bediend’ worden door zowel elektra als licht, maar kan ik in porties worden toegevoegd. Dat betekent dat een element verschillende opslagtoestanden heeft. Klinkt ideaal. Lees verder

Computers worden zuiniger door sturen van magnetisme

Spintronisch geheugenelement

Met behulp van een kleine stroomstoot kunnen de waterstofionen in het geheugenelement (rood) – en daarmee de magnetiseringsrichting van het geheugenelement – gestuurd worden (afb: MIT)

Onderzoekers van, onder meer, MIT in Cambridge (VS) hebben een methode ontwikkeld om magnetisme te sturen. Daarmee zouden computers en sensoren kunnen worden gebouwd die veel minder energie vergen dan de huidige, is de (hoopvolle) voorspelling van diezelfde onderzoekers. Lees verder

UT maakt geheugenelement met meer dan 0 en 1

Gesegmenteerde geheugenelementen

Boven het geheugenelement zonder zinkoixdelaagje en onder met (afb: UT)

Twente bij het MESA+-instituut voor nanotechnologie hebben ze een ‘gsegmenteerd’ ferroelektrisch geheugenelement ontwikkeld dat meer toestanden kan opslaan dan een 0 of een 1. Dat geheugenelement vertoont enige gelijkenis met de manier waarop hersencellen en hun verbindingen gegevens opslaan.
Lees verder